型号:IDT71V3559SA85BG8 | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:119-BGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 同步 ZBT |
存储容量 | 4.5M(256K x 18) |
速度 | 85ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 119-BGA |
供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!171-4729-9698(微信同号) |
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IDT71V3559SA85BG8相关型号
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通孔电阻器
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轴向
RES FUSIBLE WW .12 OHM 7W 1% AX
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SOD-80
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固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1812
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接口 - 语音录制和重放
Nuvoton Technology Corporation of America
28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
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接口 - 语音录制和重放
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28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽)
IC VOICE REC/PLAY 4MIN 28-TSOP
- ISC1812EB821J
固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 820UH 5% 1812
- IDT71V3559SA80BQG
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
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28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽)
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- IDT70V27S55PF8
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Vishay Dale
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1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812
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Nuvoton Technology Corporation of America
28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽)
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RES FUSIBLE WW 1.0 OHM 7W 1% AX
- FLZ7V5C
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28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽)
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1812(4532 公制)
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- IDT70V28L15PFG8
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IDT, Integrated Device Technology Inc
100-LQFP
IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP
- IDT71V35761S166BGGI8
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- FKN7WSFR-91-1R8
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RES FUSIBLE WW 1.8 OHM 7W 1% AX
- ISD4003-06MSYI
接口 - 语音录制和重放
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IC VOICE REC/PLAY 6MIN 28-SOIC
- ISC1812ER150J
固定式
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1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 15UH 5% 1812
- CW0054K000JS73
通孔电阻器
Vishay Dale
轴向
RES 4K OHM 6.5W 5% WW AXIAL